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Datenwartung
GC 217 |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 75.00 mW |
Verstärkung (h21e): | >18 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 217 E |
2.70 |
2.00 |
1.60 |
1.19 |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1965 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |