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Datenwartung
GF 125 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 25.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 0.50 V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Kompatibel: | AF 116 - Valvo | Amazon | |
OC 170 - Tesla, CSSR | Amazon | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GF 125 |
4.50 |
3.33 |
2.70 |
2.00 |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:22:25 |