LD 830

Transistor mit größerem Toleranzbereich

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

1.00 W

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Halbleiter-Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29