DG 200

Transistor

Hersteller:

nichts, -

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Kompatibel:

P 4 W - UdSSR
AD 136 - WD
OC 29 - WD
3 NU 73 - CSSR-Tesla

Typen in Klammern sind ähnlich!

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:41