GE 118

Tunneldiode rot

Hersteller:

VEB Werk für Fernsehelektronik Berlin, DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Spannung (U_R):

330.00 mV

Durchlassgleichstrom (I_F):

11.00 mA

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1966 - Halbleiter-Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1966 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:31