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Datenwartung
SFE 250 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 5.00 V |
Spannung (UCBO): | 2.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 2.50 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.20 GHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1990 - RFT Neuheiten | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1990 |
Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 09:43:33 |