SFE 292

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

2.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

25.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

5.00 GHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1990 - RFT Neuheiten

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 10:06:50