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Datenwartung

SFE 569

Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

250.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

5.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

V

Strom (IC):

50.00 mA

Leistung (Ptot):

1.00 W

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1990 - RFT Neuheiten

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Du musst 5 Guckies haben!

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 10:09:18