SFE 570

Transistor (komplementär zu SFE 569)

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

250.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

250.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

50.00 mA

Leistung (P_tot):

1.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

60.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1990 - RFT Neuheiten

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 16:35:04