VFE 15-27

GAAS-MOSFET-Transistor (F=2,7 dB)

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

x

Spannung (U_CE) / (U_DS):

5.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

0.50 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

350.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 GHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1990 - RFT Neuheiten

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.04.2024 / 09:23:01