U 61000 DC 10

1MB x 1 CMOS-dRAM

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt, DDR

Bauform:

Betriebsspannung:

4.50 - 5.50 V

Stromaufnahme:

60.00 mA

Zugriffszeit:

35.0 ns

Temperaturbereich:

0 - 70 °C

Kompatibel:

TC 511000 - Toshiba

HYB 511000 - Siemens, BRD

Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt

ZEISS - Mikroelektronische Bauelemente

Datenblatt

1990 - Mikroelektronik Gesamtübersicht

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1989 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 20.07.2025 / 09:38:05