GC 100 A

Transistor für verschiedene Anwendungen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

6.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

15.00 mA

Leistung (P_tot):

30.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.10 MHz

Verstärkung (h_21e):

18 - 35

P 5 G - UdSSR
OC 602 - WD
OC 57 - WD
2 N 34 - USA
OC 75 - CSSR-Tesla

Typen in Klammern sind ähnlich.

GC 100 A

0.96

0.71

0.58

0.43

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 11:27:36