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Datenwartung
GC 100 A |
Transistor für verschiedene Anwendungen |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 6.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 15.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 15.00 mA |
Leistung (Ptot): | 30.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.10 MHz |
Verstärkung (h21e): | 18 - 35 |
Kompatibel: | P 5 G - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 100 A |
0.96 |
0.71 |
0.58 |
0.43 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 11:27:36 |
