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Datenwartung
GC 112 |
Transistor für Steuer- und Regelzwecke |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 80.00 V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Leistung (Ptot): | 120.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 11 - 35 |
Kompatibel: | 2 SB 68 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
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Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 112 |
1.25 |
0.93 |
0.75 |
0.56 |