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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GC 112

Transistor für Steuer- und Regelzwecke

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

80.00 V

Strom (IC):

150.00 mA

Leistung (Ptot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 kHz

Verstärkung (h21e):

11 - 35

Kompatibel:

2 SB 68 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GC 112

1.25
0.93
0.75
0.56

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29