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Datenwartung

GC 123 A

NF-Transistor (früher OC 823)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

66.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

70.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

15.00 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

12.00 kHz

Verstärkung (h21e):

18 - 35

Kompatibel:

OC 77 - Valvo

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OC 77 - Mullard

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Google

P 13 B - UdSSR
ASY 77 - WD
OC 309 - WD
CK 721 - USA
OC 77 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GC 123 A

3.30
2.45
2.00
1.48

GC 123 A

1.50
1.11
0.90
0.67

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:44:48