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Datenwartung
GD 100 |
NF-Transistor (früher OC 830) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 18.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 1.30 A |
Leistung (Ptot): | 2.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | <10 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 100 |
5.95 |
4.41 |
3.55 |
2.63 |
GD 100 |
2.70 |
2.00 |
1.60 |
1.19 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:59:52 |
