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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GD 110

NF-Transistor (früher OC 831)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

18.00 V

Strom (IC):

1.30 A

Leistung (Ptot):

2.00 W

Grenzfrequenz (fT):

200.00 kHz

Verstärkung (h21e):

<5

Kompatibel:

AD 155 - Telefunken
P 3 A - UdSSR
AC 105 - WD
AC 106 - WD
2 N 143 - USA
2 NU 72 - CSSR-Tesla
2 SB 80 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GD 110 A

7.15
5.30
4.30
3.19

2 GD 110 B

10.10
7.48
6.10
4.52

GD 110 A

3.25
2.41
1.95
1.44

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:30:47