GD 120

NF-Transistor und Schalter (früher OC 832)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

30.00 V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

1.30 A

Leistung (P_tot):

2.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<5

Kompatibel:

AD 139 - Valvo

P 3 B - UdSSR
TF 78/30 - WD
2 N 101 - USA
3 NU 72 - CSSR-Tesla
1 T 403 A - UdSSR

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GD 120 A

8.00

5.93

4.80

3.56

2 GD 120 B

11.30

8.37

6.80

5.04

2 GD 120 C

13.30

9.86

8.00

5.93

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:29:02