GD 130

Transistor für Schalteranwendungen (früher OC 833)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

58.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

66.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

1.30 A

Leistung (P_tot):

2.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<5

P 201 - UdSSR
OD 603 - WD
OC 16 - WD
2 N 141 - USA
5 NU 72 - CSSR-Tesla
1 T 403 SH - UdSSR
2 SB 81 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 130 A

10.00

7.41

6.00

4.45

2 GD 130 B

14.30

10.60

8.60

6.37

2 GD 130 C

16.70

12.37

10.00

7.41

GD 130 A

4.60

3.41

2.75

2.04

GD 130 B

6.50

4.82

3.90

2.89

GD 130 C

7.55

5.59

4.55

3.37

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:01:36