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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GD 130

Transistor für Schalteranwendungen (früher OC 833)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

58.00 V

Strom (IC):

1.00 A

Leistung (Ptot):

2.00 W

Grenzfrequenz (fT):

200.00 kHz

Verstärkung (h21e):

<5

Kompatibel:

P 201 - UdSSR
OD 603 - WD
OC 16 - WD
2 N 141 - USA
5 NU 72 - CSSR-Tesla
1 T 403 SH - UdSSR
2 SB 81 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GD 130 A

10.00
7.41
6.00
4.45

2 GD 130 B

14.30
10.60
8.60
6.37

2 GD 130 C

16.70
12.37
10.00
7.41

GD 130 A

4.60
3.41
2.75
2.04

GD 130 B

6.50
4.82
3.90
2.89

GD 130 C

7.55
5.59
4.55
3.37

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29