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Datenwartung
GD 130 |
Transistor für Schalteranwendungen (früher OC 833) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 58.00 V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 2.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | <5 |
Kompatibel: | P 201 - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 130 A |
10.00 |
7.41 |
6.00 |
4.45 |
2 GD 130 B |
14.30 |
10.60 |
8.60 |
6.37 |
2 GD 130 C |
16.70 |
12.37 |
10.00 |
7.41 |
GD 130 A |
4.60 |
3.41 |
2.75 |
2.04 |
GD 130 B |
6.50 |
4.82 |
3.90 |
2.89 |
GD 130 C |
7.55 |
5.59 |
4.55 |
3.37 |