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Datenwartung
GD 170 |
NF-Leistungstransistor (früher OC 837) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 30.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 5.30 W |
Grenzfrequenz (fT): | 250.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | <10 |
Kompatibel: | AD 130 - Siemens | |
P 4 B - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 170 A |
10.90 |
8.08 |
6.50 |
4.82 |
2 GD 170 B |
15.40 |
11.41 |
9.20 |
6.82 |
2 GD 170 C |
18.10 |
13.41 |
10.90 |
8.08 |
GD 170 A |
4.90 |
3.63 |
2.95 |
2.19 |
GD 170 B |
7.00 |
5.19 |
4.20 |
3.11 |
GD 170 C |
8.20 |
6.08 |
4.90 |
3.63 |