GD 170

NF-Leistungstransistor (früher OC 837)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

33.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

4.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<10

Kompatibel:

AD 130 - Siemens

P 4 B - UdSSR
OC 30 - WD
OD 603 - WD
2 N 1042 - USA
3 NU 72 - CSSR-Tesla
2 SB 368 - Japan
2 N 257 - Intermetall

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 170 A

10.90

8.08

6.50

4.82

2 GD 170 B

15.40

11.41

9.20

6.82

2 GD 170 C

18.10

13.41

10.90

8.08

GD 170 A

4.90

3.63

2.95

2.19

GD 170 B

7.00

5.19

4.20

3.11

GD 170 C

8.20

6.08

4.90

3.63

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:03:03