GD 175

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

50.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

4.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 kHz

Kompatibel:

4 NU 72 - Tesla, CSSR

AD 131 - Siemens

AD 152 - Telefunken

AD 1202 - Tungsram, VR Ungarn

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 175 A

12.70

9.41

7.60

5.63

2 GD 175 B

17.80

13.19

10.70

7.93

2 GD 175 C

21.00

15.56

12.60

9.34

GD 175 A

5.75

4.26

3.45

2.56

GD 175 B

8.10

6.00

4.85

3.59

GD 175 C

9.55

7.08

5.75

4.26

Datenblatt

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:03:33