GD 180

NF-Leistungstransistor (früher OC 838)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

66.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

4.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<10

Kompatibel:

AD 132 - Siemens

AD 1202 - Tungsram, VR Ungarn

P 4 B - UdSSR
OC 30 - WD
OD 603 - WD
2 N 1039 - USA
5 NU 72 - CSSR-Tesla
2 SB 368 - Japan
2 N 268 - Intermetall

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GD 180 A

13.80

10.23

8.30

6.15

2 GD 180 B

19.60

14.52

11.80

8.74

2 GD 180 C

23.10

17.12

13.90

10.30

GD 180 A

6.25

4.63

3.75

2.78

GD 180 B

8.90

6.59

5.35

3.96

GD 180 C

10.50

7.78

6.30

4.67

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:03:57