GD 240

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

25.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 kHz

Kompatibel:

AD 138 - Telefunken

ASZ 15 - Valvo

P 4 W - Mashpriboringtorg, UdSSR

2 NU 73 - CSSR-Tesla
2 SB 228 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 240 A

15.00

11.12

9.00

6.67

2 GD 240 B

17.10

12.76

10.30

7.63

2 GD 240 C

19.00

14.08

11.40

8.45

2 GD 240 D

20.10

14.89

12.10

8.97

GD 240 A

6.80

5.04

4.10

3.04

GD 240 B

7.75

5.74

4.65

3.45

GD 240 C

8.65

6.41

5.20

3.85

GD 240 D

9.10

6.74

5.45

4.04

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:13:42