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Datenwartung
EFT 212 |
Transistor |
Hersteller: | I.R.P.S. - Rumänien, Romania |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 7.50 V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 30.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
EFT 212 |
11.60 |
8.60 |
7.00 |
5.19 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 07.07.2024 / 08:15:25 |