GD 243

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

65.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

20.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GD 243 A

21.10

15.64

12.70

9.41

2 GD 243 B

23.90

17.71

14.30

10.60

2 GD 243 C

26.70

19.78

16.00

11.86

GD 243 A

9.60

7.11

5.75

4.26

GD 243 B

10.90

8.08

6.50

4.82

GD 243 C

12.10

9.87

7.30

5.41

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:15:24