GD 244

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

70.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

75.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

20.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

GD 244 A

24.00

17.78

14.40

10.67

2 GD 244 B

27.30

20.23

16.40

12.15

2 GD 244 C

30.60

22.67

18.40

13.63

GD 244 B

12.40

9.19

7.40

5.48

GD 244 C

13.90

10.30

8.30

6.15

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:15:57