GS 109

Schalttransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

50.00 mA

Leistung (P_tot):

83.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

5.00 MHz

Kompatibel:

ASY 26 - Valvo

2 SA 208 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

GS 109 A

3.10

2.30

1.85

1.37

GS 109 B

4.45

3.30

2.65

1.96

GS 109 C

5.20

3.85

3.10

2.30

GS 109 D

6.20

4.59

3.70

2.74

GS 109 E

7.30

5.41

4.40

3.26

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 07:56:01