EFT 323

Transistor

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

24.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

12.00 V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

2.60 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 EFT 323

5.45

4.04

3.25

2.41

EFT 323

2.50

1.85

1.50

1.11

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 07.07.2024 / 08:34:59