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Datenwartung
GS 112 |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 200.00 mA |
Kompatibel: | ASY 27 - Valvo | |
2 SA 210 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 112 A |
4.60 |
3.41 |
2.75 |
2.04 |
GS 112 B |
6.55 |
4.85 |
3.95 |
2.93 |
GS 112 C |
7.70 |
5.71 |
4.60 |
3.41 |
GS 112 D |
9.20 |
6.82 |
5.50 |
4.08 |
GS 112 E |
10.70 |
7.93 |
6.40 |
4.74 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:51:42 |
