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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GF 100

HF-Transistor (früher OC 871)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

6.00 V

Strom (IC):

15.00 mA

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

70

Kompatibel:

P 12 - UdSSR
AF 101 - WD
OC 400 - WD
2 N 481 - USA
155 NU 70 - CSSR-Tesla
2 SA 12 - Japan
2 SA 12 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 100

2.15
1.59
1.30
0.96

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29