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Datenwartung

GF 100

HF-Transistor (früher OC 871)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

6.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

15.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

70

Kompatibel:

OC 45 - Valvo

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P 12 - UdSSR
AF 101 - WD
OC 400 - WD
2 N 481 - USA
155 NU 70 - CSSR-Tesla
2 SA 12 - Japan
2 SA 12 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 100

2.15
1.59
1.30
0.96

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


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Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:18:06