GF 120

HF-Transistor (früher OC 880)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

25.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

25.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

0.50 V

Strom (I_C):

10.00 mA

Leistung (P_tot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

30.00 MHz

Kompatibel:

P 401 - UdSSR
AF 101 - WD
AF 117 - WD
2 N 247 - USA
OC 169 - CSSR-Tesla
2 SA 350 - Japan

Typen in Klammern sind ähnlich!

GF 120

3.10

2.30

1.85

1.37

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:20:11