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Datenwartung

GF 121

HF-Transistor (früher OC 881)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

25.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

0.50 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

50.00 MHz

Verstärkung (h21e):

50

Kompatibel:

AF 117 - Valvo

Amazon

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P 401 - UdSSR
AF 136 - WD
AF 117 - WD
2 N 370 - USA
OC 169 - CSSR-Tesla
2 SA 350 - Japan


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 121

3.50
2.59
2.10
1.56

GF 121 B

3.85
2.85
2.30
1.70

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:20:35