GF 122

HF-Transistor (früher OC 882)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

25.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

10.00 mA

Leistung (P_tot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

50

Kompatibel:

P 402 - UdSSR
AF 137 - WD
AF 116 - WD
2 N 384 - USA
OC 170 - CSSR-Tesla
2 SA 350 - Japan
2 SA 80 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

GF 122

3.90

2.89

2.35

1.74

GF 122 B

4.10

3.04

2.45

1.82

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29