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Datenwartung
P 8 (П 8) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCB) / (UGD): | 15.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 15.00 V |
Strom (IC): | 20.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 500.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
BAP 811 |
1.20 |
0.89 |
0.72 |
0.53 |
BAP 815 A |
0.95 |
0.70 |
0.57 |
0.42 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 08:58:58 |