P 10 (П 10)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

20.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

BP 100

31.00

22.97

18.60

13.78

KP 103 I

4.50

3.33

2.70

2.00

KP 103 L

5.60

4.15

3.35

2.48

MMP 106

13.00

9.63

7.80

5.78

MMP 107

13.00

9.63

7.80

5.78

MP 103

5.05

3.74

3.05

2.26

MP 103 A

6.90

5.11

4.15

3.07

MP 104

6.40

4.74

3.85

2.85

MP 105

6.15

4.56

3.70

2.74

SP 101

114.70

84.99

68.80

50.98

SP 102

74.20

54.98

44.50

32.97

SP 105

9.00

6.67

5.40

4.00

SP 106

7.50

5.56

4.50

3.33

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 09:04:44