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Datenwartung
GF 133 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 21.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | V |
Spannung (UEB) / (UGS): | V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 85.00 MHz |
Kompatibel: | AFZ 11 - Mullard | Amazon | |
1 T 308 WTypen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:45:38 |