P 10 B (П 10 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

30.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 09:05:08