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Datenwartung

P 11 (П 11)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

2.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark
Originaltype
Industrierückkauf

Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

CTP 1108
7.55
5.59
4.55
3.37

MP 111 A
0.95
0.70
0.57
0.42

MP 113
1.05
0.78
0.63
0.47

MP 113 A
1.15
0.85
0.69
0.51

MP 114
1.30
0.96
0.78
0.58

MP 115
1.10
0.82
0.66
0.49

MP 116
1.10
0.82
0.66
0.49

GP 119
17.50
12.97
10.50
7.78

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 09:04:18