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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GF 126

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 25.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 126

3.55
2.63
2.15
1.59

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


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Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29