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Datenwartung

P 19 (П 19)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

6.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

30.00 mA

Leistung (Ptot):

30.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1966 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:09:56