P 20 (П 20)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.00 V

Strom (I_C):

300.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.50 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

KCM 2114 P 20 S

4.80

3.56

0.00

0.00

MP 20 A

1.20

0.89

0.72

0.53

MP 20 B

1.20

0.89

0.72

0.53

P 203 E

3.25

2.41

1.95

1.44

SP 201

5.25

3.89

3.15

2.33

SP 201 A

6.35

4.71

3.80

2.82

SP 201 A 1

6.25

4.63

3.75

2.78

SP 201 B

7.25

5.37

4.35

3.22

SP 201 B 1

7.10

5.26

4.25

3.15

SP 201 C

9.10

6.74

5.45

4.04

SP 201 C 1

9.00

6.67

5.40

4.00

SP 201 D

9.75

7.22

5.85

4.33

SP 201 S 1

1.00

0.74

0.00

0.00

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:11:51