P 21 (П 21)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.50 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 2102 A-4 S 1

1.10

0.82

0.00

0.00

P 210 B

12.50

9.26

7.50

5.56

P 213 A

7.70

5.71

4.60

3.41

P 214 G

7.95

5.89

4.75

3.52

P 216

7.85

5.82

4.70

3.48

MP 21 D

1.20

0.89

0.72

0.53

MP 21 E

1.20

0.89

0.72

0.53

MP 21 G

1.20

0.89

0.72

0.53

MP 21 W

1.20

0.89

0.72

0.53

P 213 B

10.90

8.08

6.50

4.82

P 214 A

11.20

8.30

6.70

4.96

P 214 B

9.70

7.19

5.80

4.30

P 215

13.60

10.08

8.20

6.08

P 217

15.10

11.19

9.10

6.74

P 217 A

17.00

12.60

10.20

7.56

SP 211

4.35

3.22

2.60

1.93

SP 211 A

4.75

3.52

2.85

2.10

SP 211 B

5.85

4.33

3.50

2.59

SP 211 C

6.60

4.89

3.95

2.93

SP 211 D

7.50

5.56

4.50

3.33

SP 212

3.10

2.30

1.85

1.37

SP 212 C

3.50

2.59

2.10

1.56

SP 212 D

3.60

2.67

2.15

1.59

SP 212 E

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 212 F

4.00

2.96

2.40

1.78

SP 213

2.90

2.15

1.75

1.30

SP 213 A (NEU D)

3.20

2.37

1.90

1.41

SP 213 B (NEU E)

3.30

2.45

2.00

1.48

SP 213 C (NEU F)

3.40

2.52

2.05

1.57

SP 213 D (NEU G)

3.65

2.70

2.20

1.63

SP 215

3.10

2.30

1.85

1.37

SP 215 E

3.50

2.59

2.10

1.56

SP 215 F

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 215 G

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 215 H

4.00

2.96

2.40

1.78

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:15:21