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Datenwartung

GF 130

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

25.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

0.50 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

75.00 MHz

Kompatibel:

AF 126 - Valvo

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AF 137 - Telefunken

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AF 137 T - Tungsram, VR Ungarn

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2 SA 234 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 130

4.70

3.48

2.80

2.07

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:24:46