P 37 (П 37)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

AAYP 37

1.30

0.96

0.78

0.58

MP 37

1.15

0.85

0.69

0.51

MP 37 A

1.35

1.00

0.81

0.60

MP 37 B

1.90

1.41

1.15

0.85

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:56:24