P 40 (П 40)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BYP 401/100 G

1.40

1.04

0.84

0.62

BYP 401/50 R

1.30

0.96

0.78

0.58

BYP 401/50/KK/5

1.30

0.96

0.78

0.58

MP 40

1.60

1.19

0.96

0.71

MP 40 A

1.60

1.19

0.96

0.71

P 40

1.60

1.19

0.96

0.71

P 401

4.40

3.26

2.65

1.96

P 402

3.45

2.56

2.05

1.52

P 403

5.65

4.19

3.40

2.52

CQYP 40 ROT

1.10

0.82

0.66

0.49

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 09:01:58