P 41 (П 41)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

MP 41

2.65

1.96

1.60

1.19

MP 41 A

2.15

1.59

1.30

0.96

P 41

1.95

1.44

1.15

0.85

P 416

6.15

4.56

3.70

2.74

P 416 A

6.60

4.89

3.95

2.93

P 416 B

4.30

3.19

2.60

1.93

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 09:04:20