P 210 (П 210)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.50 V

Strom (I_C):

12.00 A

Leistung (P_tot):

1.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 2102 A-4 S 1

1.10

0.82

0.00

0.00

P 210 B

12.50

9.26

7.50

5.56

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:27:45