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Datenwartung
P 211 (П 211) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | ![]() |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCB) / (UGD): | 50.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 1.50 V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 750.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SP 211 |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
SP 211 A |
4.75 |
3.52 |
2.85 |
2.10 |
SP 211 B |
5.85 |
4.33 |
3.50 |
2.59 |
SP 211 C |
6.60 |
4.89 |
3.95 |
2.93 |
SP 211 D |
7.50 |
5.56 |
4.50 |
3.33 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:29:10 |