P 211 (П 211)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.50 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

750.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

SP 211

4.35

3.22

2.60

1.93

SP 211 A

4.75

3.52

2.85

2.10

SP 211 B

5.85

4.33

3.50

2.59

SP 211 C

6.60

4.89

3.95

2.93

SP 211 D

7.50

5.56

4.50

3.33

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:29:10