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Datenwartung

P 211 (П 211)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCB) / (UGD):

50.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

1.50 V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

750.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SP 211

4.35
3.22
2.60
1.93

SP 211 A

4.75
3.52
2.85
2.10

SP 211 B

5.85
4.33
3.50
2.59

SP 211 C

6.60
4.89
3.95
2.93

SP 211 D

7.50
5.56
4.50
3.33

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:29:10