P 212 (П 212)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.50 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

750.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

SP 212

3.10

2.30

1.85

1.37

SP 212 C

3.50

2.59

2.10

1.56

SP 212 D

3.60

2.67

2.15

1.59

SP 212 E

3.75

2.78

2.25

1.67

SP 212 F

4.00

2.96

2.40

1.78

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:29:50