P 213 (П 213)

npn-NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

5.00 A

Leistung (P_tot):

11.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

P 213 A

7.70

5.71

4.60

3.41

P 213 B

10.90

8.08

6.50

4.82

SP 213

2.90

2.15

1.75

1.30

SP 213 A (NEU D)

3.20

2.37

1.90

1.41

SP 213 B (NEU E)

3.30

2.45

2.00

1.48

SP 213 C (NEU F)

3.40

2.52

2.05

1.57

SP 213 D (NEU G)

3.65

2.70

2.20

1.63

Datenblatt

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:32:59