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Datenwartung
P 214 B (П 214 Б) |
NF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 45.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 15.00 V |
Strom (IC): | 5.00 A |
Leistung (Ptot): | 11.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
P 214 B |
9.70 |
7.19 |
5.80 |
4.30 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:43:27 |